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International Conference on Extended Defects in Semiconductors (EDS 13)
17. bis 22. September 2006 in Halle
  15.09.2006
 
Vom 17. bis 22. September 2006 findet in Halle die "International Conference on Extended Defects in Semiconductors (EDS 13)" statt. Bei dieser Konferenz handelt es sich um eine traditionsreiche europäische Veranstaltung, die sich mit Versetzungen und anderen Nanostrukturen und Defekten in Element- und Verbindungshalbleitern beschäftigt. Der Bogen spannt sich vom theoretischen Verständnis von Nanostrukturen in Halbleitern über Methoden der Defektabbildung und -spektroskopie bis hin zu anwendungsrelevanten Problemen für Bauelemente.

Defekte in Halbleitern sind entscheidend für die physikalischen Prozesse, die in Halbleiterbauelementen ablaufen. Ausgedehnte Defekte (z. B. linienartige Strukturen, Flächendefekte) wirken zumeist schädlich während des Herstellungsprozesses oder der Funktion. Das Logo der Tagung stellt eine mögliche Linienstruktur ("Versetzung") dar, die sich hier anordnet in der Form der berühmten fünf Türme von Halle. Strategien zur Unschädlichmachung oder Vermeidung solcher Baufehler sind sehr gefragt. In jüngster Zeit werden auch immer öfter positive Effekte von ausgedehnten Defekten in Halbleitern diskutiert. So kann es durchaus möglich sein, durch gezieltes Einbringen von Störungen das Grundmaterial der Mikroelektronik Silizium zum Leuchten zu bringen, was es als perfektes Material nicht kann. Damit gewinnt Silizium großes Interesse für photonische Bauelemente, d. h. solche, die mit Licht anstelle von Elektronen arbeiten.

Die EDS-Tagung findet nach den Vorgängern in Bologna 2002 und Chernogolovka 2004 insgesamt zum dritten Mal in Deutschland statt. In Halle treffen sich ca. 120 Spezialisten aus Europa, Asien und Amerika.

Die veranstaltenden Institutionen sind das Interdisziplinäre Zentrum für Materialwissenschaften der Universität, das Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik und das Fraunhoferinstitut für Werkstoffmechanik Halle. Über die wissenschaftliche Relevanz der Tagung erhoffen sich die Veranstalter einen starken Impuls für die Entwicklung des Hallenser Forschungsnetzwerkes Nanostrukturierte Materialien. Unmittelbar nach der Konferenz wird das Nanotechnikum im Gebäude des Technologie- und Gründerzentrums III in Betrieb gehen. Tagungsort ist auf dem Weinbergcampus das IAMO (Institut für Agrarentwicklung in Mittel- und Osteuropa), das wegen seines repräsentativen Hörsaals gewählt wurde.

Eröffnung der Konferenz:
Montag, 18.09.06 um 9 Uhr im IAMO, Theodor-Lieser-Straße 2, 06120 Halle

Weitere Informationen:
Das Tagungsprogramm und weitere Informationen sind der Webseite http://eds2006.cmat.uni-halle.de zu entnehmen.

Wissenschaftlicher Koordinator/CEO:
Privatdozent Dr. Hartmut S. Leipner
Interdisziplinäres Zentrum für Materialwissenschaften
Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg
Telefon: +49-(0)345 55-25453, -25451 (Sekretariat)
E-Mail: hartmut.leipner@cmat.uni-halle.de
Internet: http://www.cmat.uni-halle.de

(PD Dr. Hartmut S. Leipner, 15.09.2006)
 
  Ute Olbertz, 15.09.2006
 
     
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