Hallescher Physiker ist Kristallbaufehlern auf der Spur

Mit dem Max-von-Laue-Preis der Deutschen Kristallographischen Gesellschaft (DKG), wurde Dr. Hartmut Leipner (41) vom Fachbereich Physik der Martin-Luther-Universität am 13. März 2000 im historischen Krönungssaal des Aachener Rathauses ausgezeichnet. Die Ehrung fand anlässlich der 8. Jahrestagung der Gesellschaft statt.
Der Max-von-Laue-Preis wird seit 1994 an verdiente Nachwuchswissenschaftler vergeben. Dr. Leipner ist der erste Preisträger aus den neuen Bundesländern. Nach einer Einschätzung der Zeitschrift "Bild der Wissenschaft" zählt die Martin-Luther-Universität als einzige Forschungs- und Hochschuleinrichtung in den neuen Bundesländern, auf dem Gebiet der Kristallforschung zu den zehn führenden Einrichtungen im deutschsprachigen Raum .

Hartmut Leipner, der auch über die hallesche Universität hinaus anerkannt ist, erhielt den mit 3000 DM dotierten Preis für seine Arbeiten zur Aufklärung der Struktur von Kristallbaufehlern - hierbei handelt es sich um Abweichungen von der mathematisch idealen Struktur - und deren Eigenschaften in Halbleiterkristallen. Das Hauptaugenmerk galt dabei der Materialklasse der Verbindungshalbleiter, die für die Optoelektronik (Laserdioden und lichtemittierende Dioden) sowie für ultraschnelle elektro-nische Bauelemente von zentralem Interesse sind. Diese Materialien kommen in CD-Playern, Rechnernetzen sowie in weiten Bereichen der Materialforschung, Medizintechnik, Materialbearbeitung und Informationstechnologie zur Anwendung. In fast jedem Handy findet man inzwischen Transistorbauelemente auf der Basis von Galliumarsenid, dem wichtigsten Verbindungshalbleiter.
Für die Halbleitertechnologie ist die Klärung des Einflusses der Kristallbaufehler auf die Materialeigenschaften und wiederum deren Einwirkung auf die technologischen Prozesse von weitreichender Bedeutung. Deshalb setzte Dr. Leipner für seine Untersuchungen neben abbildenden Verfahren wie die Elektronenmikroskopie auch die spektroskopischen Möglichkeiten der Festkörperanalytik ein. Die Homogenität der Materialeigenschaften wird im wesentlichen durch die Kristalldefekte und deren Wechselwirkung bestimmt. Dr. Leipner ist es gelungen, grundlegende Prozesse der Wechselwirkung zwischen den verschiedenen Defekttypen aufzuklären. Für die kostengünstige Herstellung von Halbleiterbauelementen ist die Homogenität ein entscheidender Parameter und Kristalldefekte müssen mit Hilfe effektiver Technologieprozesse beeinflusst werden. Die Grundlagenuntersuchungen, wie sie von Dr. Leipner durchgeführt werden, sind damit von unmittelbar praktischem Interesse. Direkte Forschungsbeziehungen bestehen zur Firma Freiberger Compound Materials (Freiberg/Sachsen), dem wichtigsten europäischen Hersteller von Galliumarsenid.

Zur Problematik Defekte in Halbleitern fand im Herbst 1999 in Halle, unter der Mitwirkung von Dr. Hartmut Leipner, ein HERAEUS-Ferienkurs statt, an dem 50 Nachwuchswissenschaftler aus Forschungs- und Hochschuleinrichtungen des gesamten Bundesgebietes teilnahmen.

Ansprechpartner:
Prof. Dr. Hans-Reiner Höche
Tel.: (0345) 55 254 50
e-mail: hoeche@physik.uni-halle.de

(Prof. Dr. Hans Hans-Reiner Höche, Ingrid Godenrath, 6. April 2000)


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